氧化镁的熔点在2800°C以上，沸点为3600°C，所以要想得到大尺寸、高纯度的氧化镁单晶，对原料的选择和控制要求非常严格。其次，要得到生长完1美、大尺寸的高质量晶体，整个冶炼过程非常耗时耗能，将长达几十个小时。在这个过程中如何调整控制电流和电压，使冶炼过程能够安全稳定运行，电控系统承担了zui艰巨的任务。
随着科学技术的不断进步，尤其
氧化镁晶体单晶
氧化镁的熔点在2800°C以上，沸点为3600°C，所以要想得到大尺寸、高纯度的氧化镁单晶，对原料的选择和控制要求非常严格。其次，要得到生长完1美、大尺寸的高质量晶体，整个冶炼过程非常耗时耗能，将长达几十个小时。在这个过程中如何调整控制电流和电压，使冶炼过程能够安全稳定运行，电控系统承担了zui艰巨的任务。
随着科学技术的不断进步，尤其是光电产业和无线通讯的发展，氧化镁(MgO)单晶的需要量越来越大，发展前景非常广阔。在各领域应用中，氧化镁(MgO)单晶的尺寸一般要求在5 X 5 X 5mm-100 X 100 X IOOmm之间，甚至更大。氧化镁（MgO）是极1好的单晶基片而广泛应用于制作铁电薄膜、磁学薄膜、光电薄膜和高温超导薄膜等，由于它在微波波段的介电常数和损耗都很小，且能得到的基片（直径2英吋及更大），所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。 可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。
氧化镁单晶在许多高技术领域的研究和生产中有着的优势，其中，大尺寸氧化镁单晶体以及以此为基础做成的高温超导基片及双面膜为参与国际高科技竟争的关键产品。氧化镁的熔点在2800°C以上，沸点为3600°C，所以要想得到大尺寸、高纯度的氧化镁单晶，对原料的选择和控制要求非常严格。氧化镁单晶基片是高频微波器件高温超导薄膜zui常选用的主要衬底材料之一， 也是当前可实现产业化的重要的高温超导薄膜基片。
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