技术参数：晶向：<100>、<110>、<111>；晶体结构：赝立方；晶格常数：a=3.792A；生长方法：提拉法；熔点：2080℃ ；密度：6.52g/cm3；莫氏硬度：6.5 Mohs；热膨胀系数：10×10-6/℃；介电常数：25；损耗正切（10GHz)：～3×10-4@300K,～0.6×10-4@77K 。抛光情况：单抛或双抛 （&
铝酸镧晶体价钱
技术参数：晶向：<100>、<110>、<111>；晶体结构：赝立方；晶格常数：a=3.792A；生长方法：提拉法；熔点：2080℃ ；密度：6.52g/cm3；莫氏硬度：6.5 Mohs；热膨胀系数：10×10-6/℃；介电常数：25；损耗正切（10GHz)：～3×10-4@300K,～0.6×10-4@77K 。抛光情况：单抛或双抛 （<110> Ra<15A，<100>和<111> Ra<5A）。LaAlO3晶体是以定化学配比的La2O3和Al2O3为原料,在200℃下用提拉法生长的，然后经标准工艺切割和抛光,制成5×10mm2的LaAlO3晶片,晶向为[001]。
铝酸镧（LaAlO3）晶体产品规格：常规尺寸：5x5x0.5mm、10 x 10 x 0.5 mm、dia1″x0.5mm、dia2″x0.5mm ；常规晶向：<100>、<110>、<111>；晶向公差：+/-0.5度；抛光情况：单抛或双抛 （<110> Ra<15A，<100>和<111> Ra<5A）。注：可按照客户要求加工尺寸及方向。颜色及外观：依退火状况而不同，由棕黄色到褐色，抛光基片有自然孪晶畴；化学稳定性：室温下不溶于矿物酸，温度大于150℃时可溶于H3PO4。
铝酸镧（LaAlO3）单晶是当前zui重要的工业化、大尺寸高温超导薄膜基片单晶材料。它用提拉法生长，可以得到直径2英吋及更大的单晶和基片。铝酸镧（LaAlO3）具有大的禁带宽度(5-6eV),高的介电常数值(~25)和很好的热稳定性使其成为替代Si基1金属-氧化物-半导体场效应晶体管中SiO2的zui佳替代材料。
铝酸镧（LaAlO3）晶体的颜色与原料的纯度有着直接关系。若采用纯度≤99.9%原料或在生长过程中原料被污染,长出的晶体颜色较深,甚至是茶色。但采用高纯原料≥99.999%料时,长出的晶体呈浅黄色,且在真空气氛下退火,颜色更淡,近似白色。
技术参数：晶向：<100>、<110>、<111>；晶体结构：赝立方；晶格常数：a=3.792A；生长方法：提拉法；熔点：2080℃ ；密度：6.52g/cm3；莫氏硬度：6.5 Mohs；热膨胀系数：10×10-6/℃；介电常数：25；损耗正切（10GHz)：～3×10-4@300K,～0.6×10-4@77K 。
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