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封装用IGBT测试仪现货供应优惠报价 华科分立器件测试仪

近两年IGBT测试仪持续火爆,新能源汽车,轨道交通,风力发电等等都需要大量的IGBT模块,所以我们华科智源推出了大功率IGBT测试仪,可以测试1200A,5000V以内的IGBT模块,基本可以涵盖现阶段的IGBT模块的测试了,我们IGBT测试仪还可以在线检测模块的电性能参数,对一些检修,维护领域的工作有比较好的帮助,目前国内我们华科智源不光是IGBT静态测试仪,包括动态测试仪,与的设备也可
封装用IGBT测试仪现货供应

近两年IGBT测试仪持续火爆,新能源汽车,轨道交通,风力发电等等都需要大量的IGBT模块,所以我们华科智源推出了大功率IGBT测试仪,可以测试1200A,5000V以内的IGBT模块,基本可以涵盖现阶段的IGBT模块的测试了,我们IGBT测试仪还可以在线检测模块的电性能参数,对一些检修,维护领域的工作有比较好的帮助,目前国内我们华科智源不光是IGBT静态测试仪,包括动态测试仪,与的设备也可以放在一起竞争了,而且我们不怕竞争,这对我们是一种促进。负载电感 配备自动切换开关,可分别接通不同电感值,由计算机控制自动接通。



3.6 VCES 集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES: 0.01~1mA±3%±0.001mA;C:脉冲宽度50uS~300uS D:Vce测量精度2mV E:Vce测量范围>。 1~10mA±2%±0.01mA; 10~50mA±1%±0.1mA; 集电极电压VCES: 0-5000V±1.5%±2V; * 3.7 ICES 集射极截止电流 0.01~50mA 集电极电压VCES: 50~500V±2%±1V; 500~5000V±1.5%±2V; 集电极电流ICES: 0.001~1mA±3%±0.001mA; 1~10mA±2%±0.01mA; 10~150mA±1%±0.1mA; * 3.8 VCE(sat) 饱和导通压降 0.001~10V 集电极电流ICE: 0-1600A 集电极电压VCEs: 0.001~10V±0.5%±0.001V 栅极电压Vge: 5~40V±1%±0.01V 集电极电流ICE: 0~100A±1%±1A; 100~1600A±2%±2A; * 3.9 Iges 栅极漏电流 0.01~10μA 栅极漏电流IGEs: 0.01~10μA±2%±0.005μA 栅极电压Vge: ±1V~40V±1%±0.1V; Vce=0V; * 3.10 VF 正向特性测试 0.1~5V 二极管导通电压Vf: 0.1~5V±1%±0.01V 电流IF: 0~100A±2%±1A; 100~1600A±1.5%±2A;



产品主要有电力半导体器件、组件、模块(包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等)的检测及可靠性设备,电气自动化设备,电冶、电化学装置,电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉,晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。测试条件中待输入的数字,必须依照元件生产厂所提供的规格来输入,而测量结果,亦必须在其所规定的限额内,否则,便为不良品。



关断时间测试参数: 1、关断时间toff:5~2000ns±3%±3ns 2、关断延迟时间td(off):5~2000ns±3%±3ns 3、下降时间tf:5~2000ns±3%±3ns 4、关断能量:0.2~1mJ±5%±0.01mJ 1~50mJ±5%±0.1mJ 50~100mJ±5%±1mJ 100~500mJ±5%±2mJ 5、关断耗散功率Pon:10W~250kW 关断时间测试条件: 1、集电极电压Vce:50~100V±3%±1V 100~500V±3%±5V 500V~1000V±3%±10V 2、集电极电流Ic:50~100A±3%±1A; 100~500A±3%±2A; 500~1000A±3%±5A;





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