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什么是化学气相沉积？

化学气相沉积是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程准确控制。预真空室由机械泵单独抽真空，只有在预真空室真空度达到设定值时，才能打开隔离门，进行传送片。化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。

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化学气相沉积技术在材料制备中的使用

化学气相沉积法生产晶体、晶体薄膜

化学气相沉积法不但可以对晶体或者晶体薄膜性能的改善有所帮助，而且也可以生产出很多别的手段无法制备出的一些晶体。化学气相沉积法常见的使用方式是在某个晶体衬底上生成新的外延单晶层，开始它是用于制备硅的，后来又制备出了外延化合物半导体层。它在金属单晶薄膜的制备上也比较常见（比如制备 W、Mo、Pt、Ir 等）以及个别的化合物单晶薄膜（例如铁酸镍薄膜、钇铁石榴石薄膜、钴铁氧体薄膜等）。2)CVD反应在常压或低真空进行，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。

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等离子体化学气相沉积

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等离子体化学气相沉积简称PCVD，是一种用等离子体激发反应气体,促进在基体表面或近表面空间进行化学反应,生成固态膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是在高频或直流电场作用下，源气体电离形成等离子体，利用低温等离子体作为能量源，通入适量的反应气体，利用等离子体放电，使反应气体激发并实现化学气相沉积的技术。如果您想要了解更多化学气相沉积的知识，欢迎拨打图片上的热线联系我们。