传统金属封装材料及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生；但密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作
电子金属表面处理
传统金属封装材料及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生；但密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。金属封装外壳CNC与压铸结合就是先压铸再利用CNC精加工。工艺优缺点：CNC工艺的成本比较高，材料浪费也比较多，当然这种工艺下的中框或外壳质量也好一些。这种材料已在金属封装中得到广泛使用，如美国Sinclair公司在功率器件的金属封装中使用Glidcop代替无氧高导铜作为底座。
金属表面处理密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。金属封装外壳此外密度较大，不适合航空、航天用途。1．3 钢10号钢热导率为49．8 W(m-1K-1)，大约是可伐合金的三倍，它的CTE为12．6×10-6K-1，与陶瓷和半导体的CTE失配，可与软玻璃实现压缩封接。不锈钢主要使用在需要耐腐蚀的气密封装里，不锈钢的热导率较低，如430不锈钢(Fe-18Cr，牌号4J18)热导率仅为26．1 W(m-1K-1)。铜、铝纯铜也称之为无氧高导铜(OFHC)，电阻率1．72μΩ·cm，仅次于银。这些物质可以使无氧高导铜的退火点从320℃升高到400℃，而热导率和电导率损失不大。它的热导率为401W(m-1K-1)，从传热的角度看，作为封装壳体是非常理想的，可以使用在需要高热导和／或高电导的封装里，然而，它的CTE高达16．5×10-6K-1，可以在刚性粘接的陶瓷基板上造成很大的热应力。
金属表面处理铝压铸的标准便是不浪费，省时省力和成本费，可是不利中后期的阳极氧化处理加工工艺，还将会留有沙孔气痕这些危害和外型的小问题，自然，生产商们常有一个产品合格率的定义，可靠的生产商是不容易让这种残品注入到后边的生产制造阶段中来的。金属封装机壳除此之外相对密度很大，不宜航空公司、航空航天主要用途。1．3
钢10号钢热导率为49．8
W(m-1K-1)，大概是可伐铝合金的三倍，它的CTE为12．6×10-6K-1，与瓷器和半导体材料的CTE失配，可与软玻璃完成缩小封接。不锈钢板关键应用在必须抗腐蚀的气密封装里，不锈钢板的热导率较低，如430不锈钢板(Fe-18Cr，我国型号4J18)热导率仅为26．1
W(m-1K-1)。尽管设计师能够选用相近铜的方法处理这个问题，但铜、铝与集成ic、基钢板比较严重的热失配，给封装的热设计产生挺大艰难，危害了他们的普遍应用。美国Sencitron企业在TO-254气密性金属封装中应用陶瓷绝缘子与Glidcop导线封接。1．2
钨、钼Mo的CTE为5．35×10-6K-1，与可伐和Al2O3十分配对，它的热导率非常高，为138
W(m-K-1)，所以做为气密封装的基座与可伐的腋角电焊焊接在一起，用在许多中、高功率的金属封装中
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