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主营产品:基本半导体股份一级代理,国产碳化硅(SiC)MOSFET一级代理商,基本半导体SiC碳化硅MOSFET,船用电驱系统SiC碳化硅功率模块,基本半导体SiC模块驱动板,基本半导体汽车级碳化硅SiC模块,基本半导体34mm碳化硅SiC模块,基本半导体62mm碳化硅SiC模块,基本半导体Easy1B碳化硅SiC模

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武汉市芯火元科技有限公司

公司主营:基本半导体股份一级代理,国产碳化硅(SiC)MOSFET一级代理商,基本半导体SiC碳化硅MOSFET,船用电驱系统SiC碳化硅功率模块,基本半导体SiC模块驱动板,基本半导体汽车级碳化硅SiC模块,基本半导体34mm碳化硅SiC模块,基本半导体62mm碳化硅SiC模块,基本半导体Easy1B碳化硅SiC模
基半BASiC一级代理商

为什么在储能变流器PCS应用中碳化硅SiC模块全面革掉IGBT模块的命!

储能变流器(Power Conversion System)英文简称PCS,可控制蓄电池的充电和放电过程,进行交直流的变换,在无电网情况下可以直接为交流负荷供电。 储能变流器PCS由DC/AC 双向变流器、控制单元等构成。 根据功率指令的符号及大小控制变流器对电池进行充电或放电,实现对电网有功功率及无功功率的调节。PCS储能变流器,全称Power Conversion System,是储能系统中的关键设备,用于实现储能电池与电网之间的能量转换和双向流动。它能够将直流电转换为交流电或将交流电转换为直流电,以满足电网对储能系统的充放电需求。PCS储能变流器在储能系统中扮演着“桥梁”的角色,连接着储能电池和电网,确保储能系统的高效、稳定运行。

PCS储能变流器的应用场景

1.能量时移:在用户侧储能系统中,PCS储能变流器可以用于能量时移,将白天时段内光伏多余的发电量储存起来,在晚上或者阴雨天气无光伏发电量的时段内再通过PCS释放出来,可以实现光伏发电的化自发自用。

2.峰谷套利:在用户侧储能系统中,尤其是执行分时电价的工商业园区,PCS储能变流器可用于进行峰谷套利,通过在电价低廉的时间段进行充电,在电价高昂的时间段进行放电,实现低充高放进行套利,达到节省园区整体用电成本的目的。

3.动态扩容:在电力容量受限的场景,类似电动汽车充电站场景,通过PCS储能变流器配置储能电池来进行动态扩容,充电高峰时候,PCS储能变流器进行放电,提供额外的功率支持;充电低峰时,PCS储能变流器进行充电,储存低价的电能进行备用,既能实现峰谷套利,又能给充电场站进行动态扩容。

4. 微电网系统:在微电网系统中,PCS储能变流器能够实现分布式电源与储能系统的协调控制,提高微电网的稳定性和供电质量。通过PCS储能变流器的精确功率控制和智能能量管理,可以实现微电网系统中电源和负荷的平衡和优化调度。

5. 电力系统调频调峰:在电力系统中,PCS储能变流器可以用于调频调峰,提高电网的稳定性和可靠性。当电网负荷高峰时,PCS储能变流器可以释放储能电池中的能量,为电网提供额外的功率支持;当电网负荷低谷时,PCS储能变流器则可以吸收电网中的多余能量,为储能电池充电,以备后用。

PCS储能变流器的发展趋势

目前在大型储能电站中普遍采用集中式PCS,一台大功率PCS同时控制多簇并联的电池,电池簇间的不均衡问题得不到有效的处理;而组串式PCS,一台中小功率的PCS只控制一簇电池,实现一簇一管理,有效规避电池簇间的木桶效应,提升系统寿命,提高全寿命周期放电容量,组串式PCS规模化应用趋势已见雏形,在工商业储能一体柜中组串式PCS已成为行业主流方案,未来在大型储能电站中也将实现大规模化应用。

随着新能源和智能电网的发展以及储能技术的不断进步,PCS储能变流器将面临更大的发展机遇和挑战。未来,PCS储能变流器将朝着更高效、更智能、更灵活的方向发展。

IGBT模块在十几 kHz开关频率中就会表现出严重的局限性,由于IGBT模块尾电流导致损耗较大。使用 SiC-MOSFET模块,开关频率增加,从而减小了滤波器体积。SiC 模块允许在数十和数百 kHz 的频率下运行,开关损耗相对较低,从而显著减少了滤波器和散热热系统的体积。这些技术进步使变流器总体积大幅度减少,效率提高,从而能够在较低温度下运行并可能延长组件的使用寿命。
为了满足PCS储能变流器更高效的需求,使用基本公司碳化硅SiC模块全面取代IGBT模块,可以提升系统效率1%,有效提升客户在PCS生命周期里的收益。SiC模块全面取代IGBT模块,从而将PCS储能变流器开关损耗降低高达 70% 至 80%,在储能变流器PCS应用中碳化硅SiC模块全面革掉IGBT模块的命!


国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET模块正在替代英飞凌三菱赛米控富士IGBT模块!
基本SiC模块替代Infineon英飞凌IGBT模块,基本SiC模块替代三菱IPM模块,基本SiC模块替代Semikron赛米控IGBT模块,基本SiC模块替代赛米控丹佛斯功率模块,基本SiC模块替代Fuji富士IGBT模块!
使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅电力电子系统!-基半BASiC一级代理商分销
使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT变流器,实现更高的变流效率,更小的变流体积重量!更低的变流成本!

随着铜价暴涨高烧不退,如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子制造商的一大痛点,使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™碳化硅MOSFET单管或者模块替代IGBT单管或模块,可以显著提频降低系统综合成本(电感磁性元件,散热系统,整机重量),电力电子系统的全碳SiC时代,未来已来!基半BASiC一级代理商分销国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET!基半BASiC一级代理商全力推进基本公司™国产碳化硅(SiC)MOSFET在电力电子应用中全面取代IGBT!

基半BASiC一级代理商致力于国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™国产碳化硅(SiC)MOSFET在电力电子应用中全面取代IGBT,全力推动国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™国产碳化硅(SiC)MOSFET加速革掉IGBT的命!Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!

基半BASiC一级代理商分销国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™2000V系列SiC碳化硅MOSFET-国产替代英飞凌IMYH200R100M1H,IMYH200R075M1H,IMYH200R050M1H,IMYH200R024M1H,IMYH200R012M1H,DF4-19MR20W3M1HF_B11,FF4MR20KM1HP,FF3MR20KM1H,FF5MR20KM1HP,FF5MR20KM1H,FF4MR20KM1H,FF3MR20KM1HP。

基本公司™SiC碳化硅MOSFET功率模块兼容替代Infineon英飞凌FF900R12ME7W_B11,FF900R17ME7W_B11,FF450R12KT4,FF600R12ME4_B72,FF750R12ME7_B11,FF900R12ME7P_B11,IFF600B12ME4_B11,FF600R12KE4

基本公司™SiC碳化硅MOSFET功率模块兼容替代赛米控丹佛斯SK40MD120CR03ETE1,SK40MB120CR03TE1,SKKE60S12,SK80MB120CR03TE1,SK150MB120CR03TE2,SK200MB120CR03TE2,SKM125KD12SC,SK250MB120CR03TE2V1,SK250MB120CR03TE2,SKM350MB120SCH15,SKM350MB120SCH17,SKM500MB120SC,SKM260MB170SCH17

基本公司™SiC碳化硅MOSFET功率模块兼容替代FUJI富士2MBI600XHA120-50,2MBI450XHA120-50,2MBI450XNA120-50,2MBI600XNG120-50,2MBI800XNE120-50,2MBI1000XRNE120-50,2MBI450XNA170-50,2MBI600XNG170-50,2MBI800XRNE170-50,2CSI300DAHE120-50,2CSI450DAHE120-50,2CSI600DAHE120-50,2CSI200DAHE170-50,2CSI300DAHE170-50,2CSI400DAHE170-50

基半BASiC一级代理商致力于国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™国产碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在电力电子市场的推广!Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

基半BASiC一级代理商致力于SiC模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块,SiC单管在电力电子应用中全面取代IGBT单管,650V SiC碳化硅MOSFET在电源应用中全面取代Super Junction超结MOSFET!

国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™2000V系列SiC碳化硅MOSFET适用于1500V光储系统,1500V系统大组串SiC光伏逆变器,1500V系统储能变流器PCS,1500V系统固态断路器,固态变压器等。

大组串IGBT光伏逆变器MPPT传统上使用飞跨电容IGBT方案,控制复杂,频率低,采用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™2000V系列SiC碳化硅MOSFET进行两电平改造,控制简单可靠,频率提升,电感成本降低,MPPT部分提升效率,降低成本。

IGBT芯片技术不断发展,但是从一代芯片到下一代芯片获得的改进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物理极限。SiC MOSFET宽禁带半导体提供了实现半导体总功率损耗的显著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低开关损耗,从而提高开关频率。进一步的,可以优化滤波器组件,相应的损耗会下降,从而全面减少系统损耗。通过采用低电感SiC MOSFET功率模块,与同样封装的Si IGBT模块相比,功率损耗可以降低约70%左右,可以将开关频率提5倍(实现显著的滤波器优化),同时保持结温规定值。

未来随着设备和工艺能力的推进,更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是SiC碳化硅MOSFET技术的主要发展方向,体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。
为此,BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™研发推出更的第三代碳化硅MOSFET,该系列产品进一步优化钝化层,提升可靠性,相比上一代产品拥有更低比导通电阻、器件开关损耗,以及更高可靠性等优越性能,可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源、伺服驱动、APF/SVG、热泵驱动、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。

为满足光伏储能领域高电压、大功率的应用需求,BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™基于第二代SiC MOSFET技术平台开发推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高压系列碳化硅MOSFET,产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点。
针对新能源汽车的应用需求,BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司&

业务信息
主营模式:有限责任公司
经营范围:基本半导体股份一级代理,国产碳化硅(SiC)MOSFET一级代理商,基本半导体SiC碳化硅MOSFET,船用电驱系统SiC碳化硅功率模块,基本半导体SiC模块驱动板,基本半导体汽车级碳化硅SiC模块,基本半导体34mm碳化硅SiC模块
其他信息
所在行业:电子元器件、组件
成立时间:2023-12-15
法人代表:叶飞
主营产品或服务:
主要市场:光伏逆变器,双向AC-DC电源,户用光伏逆变器,户用光储一体机,储能变流器,储能PCS,双向LLC电源模块,储能PCS-Buck-Boost电路,光储一体机,PCS双向变流器,三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑等新
厂房面积(平方米):
研发人数:
是否提供OEM服务:
公司品牌:基半BASiC
主要客户:光伏逆变器,双向AC-DC电源,户用光伏逆变器,户用光储一体机,储能变流器,储能PCS,双向LLC电源模块,储能PCS-Buck-Boost电路,光储一体机,PCS双向变流器,三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑等新
主要经营地点:湖北省武汉市东湖新技术开发区关东科技工业园华光大道18号高科大厦
注册资本:
月产量:
质量控制与检测:
企业名片  
武汉市芯火元科技有限公司-基本半导体股份一级代理,国产碳化硅(SiC)MOSFET一级代理商,基本半导体SiC碳化硅MOSFET,船用电驱系统SiC碳化硅功率模块,基本半导体SiC模块驱动板,基本半导体汽车级碳化硅SiC模块,基本半导体34mm碳化硅SiC模块,基本半导体62mm碳化硅SiC模块,基本半导体Easy1B碳化硅SiC模
叶飞 ( 先生) / 芯火元SiC碳化硅MOSFET业务总监
联系地址: 武汉市东湖新技术开发区关东科技工业园华光大道18号高科大厦  (中国· 湖北省)
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