|
内容摘要：
【MOS管4N65的基本参数】
漏源电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：4.0A
脉冲漏极电流（IDM）：16A
零栅极电压漏极电流（IDSS）：10μA
栅极阈值电压（VGS (th)）：3.0V
2.2Ω@ 10V
导通电阻（RDS (on)）：
二极管正向电压（Vsd）：1.4V
输入......
如想进一步了解更多产品内容，可以直接给厂家发送询价表单咨询:
|
|
联系方式
 电话： 18938888178
 传真：
 地址： 广东省深圳市福田区华强北路深纺大厦C座西6楼
 发布IP： （IP所在地：）
|