【MOS管4N65的基本参数】
漏源电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：4.0A
脉冲漏极电流（IDM）：16A
零栅极电压漏极电流（IDSS）：10μA
栅极阈值电压（VGS (th)）：3.0V
2.2Ω@ 10V
导通电阻（RDS (on)）：
二极管正向电压（Vsd）：1.4V
输入电容（Ciss）：约 560pF
功率损耗（PD）：36W
反向恢复时间（Trr）：约 250ns
工作温度范围：-55℃~150℃
MOS管4N65F N沟道增强型场效应管，其功能作用如下：
开关控制：由于 MOS 管是电压控制型器件，通过控制栅极 - 源极之间的电压（Vgs）来控制漏极 - 源极之间的导通和截止。当 Vgs 大于阈值电压时，MOS 管导通，漏极和源极之间呈现低电阻状态，电流可以顺利通过；当 Vgs 小于阈值电压时，MOS 管截止，漏极和源极之间呈现高电阻状态，几乎没有电流通过。因此，4N65 可在电路中实现的开关切换，例如在开关电源中，用于控制电源的通断，将输入的直流电压转换为高频脉冲电压，再通过变压器等元件进行降压或升压，终输出所需的电压。
功率放大：在导通状态下，4N65 的漏极电流可以由栅极电压精确控制，并且具有较高的电流增益。因此，它可以将输入的小信号电压转换为较大的输出电流，实现功率放大的功能。例如，在音频功率放大器电路中，MOS 管可以将输入的音频信号进行放大，驱动扬声器发出声音。
电路保护：在一些电路中，4N65 可以作为保护元件使用。例如，在电源电路中，当出现过流、过压等异常情况时，MOS 管可以迅速截止，切断电路，从而保护后续电路元件不受损坏。
