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内容摘要：
编辑：LASEMI MOS场效应管 9N90 插件封装类型 9A 900V型号：9N90封装：TO-220AB漏极电流（VDS）：9A漏源电压（ID）：900V工作温度：-55℃~150℃种类：N沟道增强型场效应管：ASEMImos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。
编辑：LASEMI 10N60MOS场效应管 10A 600V 插件封装类型型号：10N60封装：TO-220AB漏极电流（VDS）：10A漏源电压（ID）：600V工作温度：-55℃~150℃种类：N沟道增强型场效应管：ASEMIMOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，25N120插件MOS管，即使两端对......
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