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ASEMI MOS场效应管 9N90 插件封装类型 9A 900V
型号：9N90
封装：TO-220AB
漏极电流（VDS）：9A
漏源电压（ID）：900V
工作温度：-55℃~150℃
种类：N沟道增强型场效应管
：ASEMI
mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。
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ASEMI 10N60MOS场效应管 10A 600V 插件封装类型
型号：10N60
封装：TO-220AB
漏极电流（VDS）：10A
漏源电压（ID）：600V
工作温度：-55℃~150℃
种类：N沟道增强型场效应管
：ASEMI
MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，25N120插件MOS管，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
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什么是增强型MOS管？
增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通，6N60插件MOS管，由上图可以看出，90N10插件MOS管，栅极电压越低，则p型源、漏极的正离子就越靠近中间，n衬底的负离子就越远离栅极，栅极电压达到一个值，叫阀值或坎压时，由p型游离出来的正离子连在一起，形成通道，就是图示效果。因此，容易理解，栅极电压必须低到一定程度才能导通，电压越低，通道越厚，导通电阻越小。由于电场的强度与距离平方成正比，因此，插件MOS管，电场强到一定程度之后，电压下降引起的沟道加厚就不明显了，也是因为n型负离子的“退让”是越来越难的。耗尽型的是事先做出一个导通层，用栅极来加厚或者减薄来控制源漏的导通。但这种管子一般不生产，在市面基本见不到。所以，大家平时说mos管，就默认是增强型的。
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产品：ASEMI
供货总量：不限
产品价格：议定
包装规格：不限
物流说明：货运及物流
交货说明：按订单
