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内容摘要：
半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，三酸抛光剂，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。 是以硫酸为载体，扬州三酸抛光，在适宜的温度范围内进行化学抛光，通常情况下、(或)，抛光过程即完成化学抛光方法，将欲抛光的不锈钢在此溶液中浸泡，当溶液呈现绿色时、代替相应的酸，先将这些盐类溶于溶有淀粉的水溶液中，然后再将此欲抛光的材料浸入硫酸溶液中，使其表面附着一层溶有上述盐类的淀粉层，用氯化钠化学抛光，一般使用或磷酸等氧化剂溶液，三酸抛光销售，在一定的条件下，使工件表面氧化，此氧化层又能逐渐溶人溶液，表面微凸起处氧......
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