半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，三酸抛光剂，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。
是以硫酸为载体，扬州三酸抛光，在适宜的温度范围内进行化学抛光，通常情况下、(或)，抛光过程即完成化学抛光方法，将欲抛光的不锈钢在此溶液中浸泡，当溶液呈现绿色时、代替相应的酸，先将这些盐类溶于溶有淀粉的水溶液中，然后再将此欲抛光的材料浸入硫酸溶液中，使其表面附着一层溶有上述盐类的淀粉层，用氯化钠化学抛光，一般使用或磷酸等氧化剂溶液，三酸抛光销售，在一定的条件下，使工件表面氧化，此氧化层又能逐渐溶人溶液，表面微凸起处氧化较快而较多，而微凹处则被氧化慢而少。同样凸起处的氧化层又比四处更多、更快地扩散，溶解于酸型溶液中，因此使加工表面逐渐被整平，达到改善工件表面粗糙度或使表面平滑化和光泽化的目的。化学抛光可以大面或多件抛光薄壁、低刚度工件，三酸抛光工艺，可以抛光内表面和形状复杂的工件，不需要外加电源、设备，操作简单、成本低。其缺点是化学抛光效果比电解抛光效果差，抛光过程中会产生氮氧化合物等环境污染物，而且抛光液用后处理较麻烦
精抛时在木桶中装入钢球和毛皮碎块，连续转动数小时可得到耀眼光亮的表面。精密线纹尺的抛光是将加工表面浸在抛光液中进行的，抛光液由粒度为W5～W0.5的氧化铬微粉和乳化液混合而成。 抛光轮采用材质匀细经脱脂处理的木材或的细毛毡制成，其运动轨迹为均匀稠密的网状，抛光后的表面粗糙度不大于Ra0.01微米，在放大40倍的显微镜下观察不到任何表面缺陷。此外还有电解抛光等方法。
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