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闪存的基本单元电路与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加正电压，使电子进入级浮空栅。
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除了I/O总线，NAND接口由6个主要控制信号构成：芯片启动(Chip Enable， CE#)：如果没有检测到CE信号，那么，NAND器件就保持待机模式，不对任何控制信号作出响应。
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