氧化锌（ZnO）半导体室温带隙为3.37eV，且束缚激子能高达60MeV，使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。诱人的应用前景和制备难度使得ZnO晶体的生长技术成为材料研究的热点。众所周知氧化锌（ZnO）作为宽禁带半导体材料，具有纤锌矿结构，在室温下具有较强的激光发射性能，氧化锌晶体单晶厂家，在光学、电学、磁学、催化以及传感器等方面具有广阔的应用前景。 氧化锌（ZnO）晶体具有四种晶体
