氧化锌（ZnO）半导体室温带隙为3.37eV，且束缚激子能高达60MeV，使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。诱人的应用前景和制备难度使得ZnO晶体的生长技术成为材料研究的热点。众所周知氧化锌（ZnO）作为宽禁带半导体材料，具有纤锌矿结构，在室温下具有较强的激光发射性能，氧化锌晶体单晶厂家，在光学、电学、磁学、催化以及传感器等方面具有广阔的应用前景。 氧化锌（ZnO）晶体具有四种晶体结构，闪锌矿结构(与金刚石类似，可看成氧原子FCC排列，4个锌原子占据金刚石中晶胞内四个碳原子的位置);NaC结构;CsCl结构(氧原子简单立方排列，锌原子占据体心位置);纤锌矿结构(六方结构，氧化锌晶体单晶，氧原子层和锌原子层呈六方紧密排列)。氧化锌（ZnO）晶体在1975℃同成分熔化，在较高的温度下非常不稳定，北京氧化锌晶体，不容易由熔体直接生长。目前主要是在尽可能低的温度下用化学气相输运法、水热法和助熔剂法生长。氧化锌（ZnO）单晶是具有半导体、发光、压电、电光等多种用途的功能晶体材料。不仅可用于制作紫外光电器件，氧化锌晶体单晶供应商，也是高1性能的移动通讯基片材料和优1秀的闪烁材料；此外，氧化锌（ZnO）与GaN的晶格失配度特别小，是GaN外延生长理想的衬底材料。同时由于具有可见区透明，机电耦合系数大，能使气体分子在其表面的吸附－解析等性质，有望在高峰值能量的能量限制器、大直径高质量的GaN的衬底、未来的5GHz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应用。 合肥合瑞达(图)-氧化锌晶体单晶厂家-北京氧化锌晶体由合肥合瑞达光电材料有限公司提供。合肥合瑞达光电材料有限公司（www.hfheruida.com）拥有很好的服务与产品，不断地受到新老用户及人士的肯定和信任。我们公司是商盟认证会员，点击页面的商盟客服图标，可以直接与我们客服人员对话，愿我们今后的合作愉快！ 产品：合肥合瑞达供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
