机械抛光：
机械抛光一般是将工件压向预先涂有抛光膏(剂)的转动布轮或其他弹性轮子上的操作.其实质是用抛光轮来平复磨光后的制件表面上极微小的不平处.铝型材通过机械抛光可得到似镜而般的表面，其泽色随所用抛光膏不同而变化，三酸抛光剂，其外观问抛光者技术有关.电解抛光是将工件作为阳极，在电解过程中，工件突出的部位溶解速度大于低凹处，随着抛光的进行，工件表面的微观及宏观的凸凹部分得以整平.这一过程能改善金属表面的显微几何形状，降低金属表面的显微粗糙程度，南平三酸抛光，铝型材使零件表面变得光亮.
这两个概念主要出半导体加工过程中，的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，三酸抛光销售，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，三酸抛光厂家，是能够实现全局平面化的有效方法。
优点化学抛光的优点是化学抛光设备简单，不需要什么特殊设备，只需要一个盛抛光液的玻璃杯和夹持试样的夹子就可以了。如果用细薄磨料片切割的试样，切割后不需要砂纸磨光，即可直接抛光。有些非导体材料也可以用化学抛光，非导体嵌镶的试样也可以直接抛光。化学抛光也可以处理形状比较复杂的零件
缺点1、化学抛光的质量不如电解抛光。2、化学抛光所用溶液的调整和再生比较困难，在应用上受到限制。3、化学抛光操作过程中，散发出大量黄棕色有害气体，对环境污染非常严重。4、抛光溶液的使用寿命短，溶液浓度的调节和再生比较困难
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