企业视频展播，请点击播放视频作者：迈基尔科技（天津）有限公司 二次电子是由于被入射电子“碰撞”而获得能量，逃出样品表面的核二次电子是由于被入射电子“碰撞”而获得能量，逃出样品表面的核外电子，其主要特点是：(1)能量小于50eV，天津场发射扫描电镜，较易被检测器前端的电场吸引，因而阴影效应较弱。(2)只有样品表面很浅（约10nm）的部分激发出的二次电子才能逃出样品表面，因此二次电子像分辨率
