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二次电子是由于被入射电子“碰撞”而获得能量，逃出样品表面的核二次电子是由于被入射电子“碰撞”而获得能量，逃出样品表面的核外电子，其主要特点是：(1)能量小于50eV，天津场发射扫描电镜，较易被检测器前端的电场吸引，因而阴影效应较弱。(2)只有样品表面很浅（约10nm）的部分激发出的二次电子才能逃出样品表面，因此二次电子像分辨率较高。(3)二次电子的产额主要取决于样品表面局部斜率，因此二次电子像主要是形貌像。可看成由许多不同倾斜程度的面构成的凸尖、台阶、凹坑等细节组成，这些细节的不同部位发射的二次电子数不同，从而产生衬度。二次电子像分辨率高、无明显阴影效应、场深大、立体感强，是扫描电镜的主要成像方式，特别适用于粗糙样品表面的形貌观察。 冷场发射式电子的优缺点要从极细的钨针尖场发射电子，场发射扫描电镜价格，金属表面必需完全干净，场发射扫描电镜，无任何外来材料的原子或分子在其表面，即使只有一个外来原子落在表面亦会降低电子的场发射，所以场发射电子必需保持超高真空度，来防止钨阴极表面累积原子。由于超高真空设备价格极为高昂，所以一般除非需要高分辨率SEM，否则较少采用场发射电子。冷场发射式大的优点为电子束直径，亮度，因此影像分辨率优。能量散布，故能改善在低电压操作的效果。为避免针尖被外来气体吸附，而降低场发射电流，并使发射电流不稳定，冷场发射式电子必需在10-10 torr的真空度下操作，虽然如此，还是需要定时短暂加热针尖至2500K(此过程叫做flashing)，以去除所吸附的气体原子。它的另一缺点是发射的总电流。当后向散射电子作为调制信号时，由于其能量高、穿透性强，可以从样品较深的区域逃逸(约为有效效应的30%深度).在深度范围内，场发射扫描电镜型号，入射电子横向扩展，因此背散射电子像的分辨率比二次电子像的分辨率低，一般在500-2000nm左右.如果将吸收电子、x射线、阴极发光、束流诱导电导或电位作为调制信号的其他工作模式，由于信号来自整个电子束散射区，因此获得的扫描图像的分辨率相对较低，一般在1000纳米或10000纳米以上之间. 天津迈基尔科技(图)-场发射扫描电镜价格-河南场发射扫描电镜由迈基尔科技（天津）有限公司提供。行路致远，砥砺前行。迈基尔科技（天津）有限公司致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴，更矢志成为仪器仪表具有竞争力的企业，与您一起飞跃，共同成功! 产品：迈基尔供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
