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视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司
用于桥接和开关和二极管
另一个值得探讨的选择是采用FGH30N60LSD器件。它是一颗饱和电压VCE(SAT) 只有1.1V的30A/600V IGBT。其关断损耗EOFF非常高，达10mJ ，故只适合于低频转换。一个50毫欧的MOSFET在工作温度下导通阻抗RDS(ON) 为100毫欧。因此在11A时，具有和IGBT的VCE(SAT) 相同的VDS。由于这种IGBT基于较旧的击穿技术，VCE(SAT) 随温度的变化不大。因此，这种IGBT可降低输出桥中的总体损耗，从而提高逆变器的总体效率。FGH30N60LSD IGBT在每半周期从一种功率转换技术切换到另一种拓扑的做法也十分有用。IGBT在这里被用作拓扑开关。在较的转换时则使用常规及恢复超结器件。对于1200V的拓扑及全桥结构，前面提到的FGL40N120AND是非常适合于新型高频太阳能逆变器的开关。当技术需要二极管时，Stealth II、Hyperfast II 二极管及碳硅二极管是很好的解决方案。逆变器把直流电转换为交流电的效率，目前，欧洲逆变器效率普遍较高，可达到97.2%。
超高速沟道IGBT也提供方形反向偏压工作区、高175℃结温，还可承受4倍的额定电流。为了要显示它们的性，这些功率器件也经过钳位电感负载测试。
与高侧不同，通态耗损支配了低侧IGBT。因为低侧晶体管的工作频率只有60Hz，贵州发电板光伏板价格，开关损耗对这些器件来说微不足道。标准速度平面IGBT是特别为低频率和较低通态耗损而设计。所以，回收发电板光伏板价格，随着低侧器件于60Hz进行开关，这些IGBT要通过采用标准速度平面IGBT来达到的低功率耗损水平。因为这些器件的开关损耗非常少，标准速度平面IGBT的总耗散并没有受到其开关耗损所影响。基于这些考虑，标准速度IGBT IRG4BC20SD因此成为低功率器件的选择。一个第四代IGBT与超高速软恢复反向并联二极管协同封装，并且为低饱和电压和低工作频率(<1kHz)进行优化。在10A下的典型Vce(on)为1.4V。针对低正向降及反向漏电流，跨越低侧IGBT的协同封装二极管已经优化了，以在续流和反向恢复期间把损耗降到低。
用于桥接和开关和二极管
MOSFET全桥滤波之后，输出桥产生一个50Hz的正弦电压及电流信号。一种常见的实现方案是采用标准全桥结构 (图2)。图中若左上方和右下方的开关导通，则在左右终端之间加载一个正电压;右上方和左下方的开关导通，则在左右终端之间加载一个负电压。对于这种应用，在某一时段只有一个开关导通。一个开关可被切换到PWM高频下，抵债发电板光伏板价格，另一开关则在50Hz低频下。由于自举电路依赖于低端器件的转换，故低端器件被切换到PWM高频下，返修发电板光伏板价格，而器件被切换到50Hz低频下。这应用采用了600V的功率开关，故600V超结MOSFET非常适合这个高速的开关器件。由于这些开关器件在开关导通时会承受其它器件的全部反向恢复电流，因此恢复超结器件如600V FCH47N60F是十分理想的选择。它的RDS(ON) 为73毫欧，相比其它同类的恢复器件其导通损耗很低。当这种器件在50Hz下进行转换时，无需使用恢复特性。这些器件具有出色的dv/dt和di/dt特性，比较标准超结MOSFET可提高系统的可靠性。
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