三、前烘1）将涂布好SU8光刻胶的硅片放置在热板上，进行预热烘烤，去除光刻胶中的挥发性有ji溶剂，时间和温度根据光刻胶厚度进行调整。（举例说明：目标胶厚度50um ，设置温度65℃，烘烤15min，然后温度95度，烘烤15分钟）四、曝光1）将预热后的硅片放置在桌面光刻机托盘上。2）使用相应的掩模（掩膜）放置在硅片上进行曝光，曝光时间和强度根据SU-8光刻胶的类型和厚
