半导体扩散炉 设备用途：用于大规模集成电路、电力电子、光电器件、光导纤维等行业的氧化、扩散、烧结、合金等工艺。 设备特点：单元组合方式。根据工艺的不同，可以在主机的基础上配气源柜、超净工作台、悬臂推拉舟等。 主要技术指标： 炉管数：1～4管 配工艺管口径：Φ90～360 mm (3～12英寸) 恒温区长度： 760～1000 mm±1.0℃ (
