实现晶体的外延生长。这种技术可以生长Si、GaAs、GaAlAs、GaP等半导体材料以及石榴石等磁性材料的单晶层,用以做成各种光电子器件、微波器件、磁泡器件和半导体激光器等 [1] 。液相外延由尼尔松于1963年发明,成为化合物半导体单晶薄层的主要生长方法,1200液相,被广泛的用于电子器件的生产上。薄层材料和衬底材料相同的称为同质外延,反之称为异质外延。液相外延可分为倾斜法、垂直法和滑舟法三种。
仪器控制及数据处理系统 (Agilent Chemstation)
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电子日志:实时记录仪器使用操作情况,随时查阅仪器状态。
工作条件:
工作电压:220+5% V
环境温度: 4~55°C
环境湿度: <95%相对湿度(不冷凝)

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