LED炉主要满足LED芯片制造行业，对圆片及残片进行合金、退火、扩散、氧化等工艺。
主要性能指标：
外型形式：卧式1—4管结构，水平炉管
工作温度：200℃—1100℃
恒温区长度：≥600mm
硅片规格：适用于2—6英寸硅片以及碎片
恒温区精度：≤±1℃(在400—1000℃范围内)
单点温度稳定性、重复性：≤±1℃／24h(在400—1000℃范围内)
温度过冲平衡：载料进炉，温度平衡到工艺时间，10分钟
工艺气体及控制：氮气、氧气，MFC或浮子流量计控制
气路系统气密性：1×10-7PaM3/S
送料机构：悬臂石英杆载料，手动
报警系统：工艺气体压力异常报警、断电报警、超温报警、极限超温报警
控制方式：工控机总程控制、触摸屏控制
