本公司长期需要各大厂家晶圆东芝.现代.三星.镁光蓝膜晶圆。
大量收购.EHL9、FFF1、EEU3、EGW1、HTX4、HTX5、K9GAG08UOE、
L84、EGZ9、FGC4、FGC2等系列晶圆。
采用选择氧化进行器件隔离时所使用的氮化硅薄膜也是用低压CVD法，利用氨和SiH4 或Si2H6反应面生成的，作为层间绝缘的SiO2薄膜是用SiH4和O2在400--4500oC的温度下形成SiH4+O2-SiO2+2H2或是用Si(OC2H5)4(TEOS:tetra ethoxy silanc)和O2在750oC左右的高温下反应生成的 晶圆回收，后者即采用TEOS形成的SiO2膜具有台阶侧面部被覆性能好的优点。。前者，在淀积的同时导入PH3 气体 蓝膜晶圆回收，就形成磷硅玻璃（ PSG： phosphor silicate glass）再导入B2H6气体就形成BPSG(borro phosphor silicate glass)膜。这两种薄膜材料 nand蓝膜晶圆回收，高温下的流动性好，广泛用来作为表面平坦性好的层间绝缘膜。
GVG5.ELV2.N9ZN.GXH2.GRR9.4D2E.K9GAG08UOD.K9G4G08UOA.4T2E.
GNM2.GWP2.GNX1.L73A.L85.B74A.L74A.
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为提高成膜速度， 通常利用磁场来增加离子的密度 EGW1晶圆回收， 这种装置称为磁控溅射装置（ magnetron sputter apparatus ），以高电压将通入惰性氩体游离，再藉由阴极电场加速吸引带正电的4004的50mm晶圆和Core 2 Duo的300mm晶圆离子，撞击在阴极处的靶材，将欲镀物打出后沉积在基板上。
在基板上。
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