：engis型号：
可用于2寸3寸4寸InP GaAs GaN
所属系列：半导体加工设备-减薄抛光设备-研磨机
操作界面人性化，人机交流非常简易
使用大粒径研磨液将Wafer减薄
可以精确控制Wafer目标厚度，将Wafer减薄至接近目标厚度时，借助厚度控制夹具Wafer将悬空丌再被研磨，可以双头、单片、多片加工，适合研发、量产，可兼容多尺寸Wafer
设备的设计理念及特征
搭载开槽装置的超高精密研磨设备EJW-400IFN 是采用高刚性机体和独自开发的水冷式主
轴，经常保持一定的定盘温度，并且可以在超低震动状态下旋转。另外，由于采用
的开槽装置，设备可以经常维持稳定的定盘平坦度进行加工。
主要规格：
1-1研磨设备
设备型号EJW-400IFN
研磨盘直径外径φ380mm；内径φ140mm
定盘转速10~350rpm 可调（软起动/停机）
主电机200V 1.5Kw 3相
加压方式自重加压
工件固定方式通过使用陶瓷修正轮用滚轴手臂固定
主轴部分高刚性水冷主轴
尺寸940mm×1600mm×1460mmH*含防尘盖高度
重量1000Kg（NET）
