UMB10F整流桥堆ASEMI
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UMB10F贴片整流桥，ASEMI，它的脚间距为2.5mm，整体长度为4.7mm，湖州整流桥堆参数封装，高度为1.5mm，厚度为0.6mm，其本体宽度为4.0mm，充电器整流桥堆参数封装，脚厚度为0.25mm。正向电流（Io）为1A，反向电压为1000V，正向电压（VF）为1.0V，里头有4个GPP材质芯片，芯片尺寸都是50MIL
UMB10F整流桥堆主要应用于小电流领域产品：小功率开关电源，充电器，电源适配器，LED灯整流器等相关电器产品。采用健鼎的一体化测试设备，减少人工操作环节，强元芯12年生产经验，自动化设备支持注塑一步成型，12年如一日，选择强元芯，让您更放心。
W10整流桥ASEMI首芯
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ASEMI整流桥W10采用玻封GPP工艺芯片，高压整流桥堆参数封装，密封性可靠性好，防电性衰降，由酸洗工艺向GPP工艺是二极管技术的一次重大改革，GPP芯片在稳定性和寿命上有了极大的提高。使用的生产测试设备是健鼎全自动一体化测试设备，36道测试工序，12项参数测试，加严控制整流桥内部四颗芯片的离散性（电压，压降，漏电等等）离散性的保障，可以保证成品整流桥的高可靠性和稳定性。
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W10芯片框架采用框架引脚采用无氧铜材料，内阻小导电性好，镀锡防氧化，保障了产品的导电性能，采用环氧树脂材料一次性注塑成型，边角刺，环氧树脂阻燃性能好，强度高，耐高温，外力冲击不易裂，这种材料在阻燃性，充电桩整流桥堆参数封装，散热和耐高温方面有着极高的优势，被众多二极管制造商采用。
W10整流圆桥，ASEMI。W10产品参数：正向电压为1.1V，正向电流、为1A，反向电压为1000V， 它的浪涌电流Ifsm为50A，漏电流为5uA、工作温度在-55~+150℃，恢复时间达到500ns。芯片材质才有了4个60MIL的。
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