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主营产品:整流桥,桥堆,肖特基二极管,超快恢复二极管

[供应]低压降整流桥堆GPP芯片-低压降整流桥堆-强元芯电子供应商

更新时间:2022/1/16 10:09:00
低压降整流桥堆GPP芯片-低压降整流桥堆-强元芯电子供应商
GBJ610整流桥台湾ASEMI

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GBJ610整流桥 ASEMI,框架引脚采用无氧铜材料,内阻小导电性好,镀锡防氧化。GBJ610应用于各类电磁炉,热水器等,ASEMI信赖源于,源于





GBJ610电性参数为6A 1000V,其工作时耐温度范为-55~150摄氏度。采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成,芯片尺寸都是88MIL。它的电性参数是:正向电流(Io)为6A,反向耐压为1000V,正向电压为1.1V,它的浪涌电流Ifsm为150A,低压降整流桥堆GPP芯片,漏电流(Ir)为5uA,恢复时间达到500ns。



















W10整流桥ASEMI首芯

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ASEMI整流桥W10采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防电性衰降,由酸洗工艺向GPP工艺是二极管技术的一次重大改革,GPP芯片在稳定性和寿命上有了极大的提高。使用的生产测试设备是健鼎全自动一体化测试设备,36道测试工序,12项参数测试,低压降整流桥堆厂家,加严控制整流桥内部四颗芯片的离散性(电压,压降,漏电等等)离散性的保障,可以保证成品整流桥的高可靠性和稳定性。










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ASEMI整流桥MB10F型号它的脚间距为2.5mm,低压降整流桥堆,整体长度为4.7mm,高度为1.5mm,厚度为0.6mm,低压降整流桥堆6级能效,其本体宽度为4.0mm,脚厚度为0.25mm。正向电流(Io)为0.5A,反向电压为1000V,正向电压(VF)为1.0V,采用GPP芯片材质,里头有4个芯片,芯片尺寸都是50MIL,它的浪涌电流Ifsm为35A,漏电流(Ir)为5uA、工作温度在-55~+150℃,恢复时间达到500ns。



从它的体积参数当中我们可以看出,这一款产品比较小,所以它的散热问题是需要我们重视的一个方面,采用扁平设计就是考虑到它的这一方面问题,而且MB10F采用薄设计,这种设计可以增大导热性能,因为密封的黑胶其本身散热性能并不是很好,那怕我们采用透气与散热性好的树脂,但这种是材料本身性能的问题,另外一点,它的引脚亦是采用的扁平设计,这种设计的原理也是增大其散热性能的,另外,引脚的铜材料的纯度也是影响其散热的一个因素,因为导体本身的导热性是比较不错的,其性能与铜引脚纯度成正比。














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