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内容摘要：
DD540N26K 齐纳击穿 反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。
在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，
使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。
如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。 雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子......
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