DD540N26K 齐纳击穿 反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。
在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，
使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。
如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。 雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，
从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。
新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，
这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结性损坏。
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EUPEC二极管模块：DD Series－－－－ Diode / Diode Phase Control 双二极管模块
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MOSFET 快恢复型二极体
IXTP90N055T IXTP98N075T IXTP110N055P IXTP182N055T IXTP76N075T IXTP152N085T IXTP220N04T2 IXTQ75N10P IXTQ110N10P IXTP102N15T IXTP62N15P DSEC30-06A DSEP15-06A
DSEP15-06A DSEP29-06A DSEP15-06B DSEI8-06A DSEI60-06A DSEI30-06A DSEP29-12A
DSEI30-12A IXTQ50N20P DSEP30-12A IXFH58N20 DSEP8-12A IXTQ74N20P IXTQ42N25P
IXTQ64N25P IXTQ36N30P IXTQ52N30P IXTP8N50P IXFX64N50 IXTQ22N50P IXTQ26N50P
DSEP12-12B DSEP12-12A DHG60I1200HA IXGH16N60B2D1 IXGH28N60B3D1 IXGH48N60B3D1
IXGH30N60B2D1 IXTQ36N50P IXGH50N60B2D1 IXFH44N50P IXGH40N60B2D1 IXFH26N50 IXKK85N60C
IXGH15N120B IXGH32N90B2D1 IXFH20N60 IXFH12N90 IXEH40N120D1 IXGH50N90B2D1
IXGH60N60C3 IXTP220N04T2 IXTP152N085T IXGH72N60C3
可控硅
CMA30E1600PB CLA50E1200HB CLA50E1200HB CS30-12IO1 CS45-12IO1 CS45-16IO1
CS30-16IO1 MCC162-18IO1 MCC312-16IO1 MCC95-16IO1B CS60-16IO1
1600V/60A 其他配套产品
MCC56-16IO1B 1600V/60A MCC132-16/18IO1
MCC95-16IO1B 1600V/116A 型号
(1600V,1800V)/130A HCPL-3120 SG3525/KA3525
MCC162-16/18IO1 (1600V,1800V)/181A HCPL-316J UC3854
MCC255-16/18IO1 (1600V,1800V)/250A TLP250 2SK2611
MCC312-16/18IO1 (1600V,1800V)/320A UC3842 2SK2610
MCC501-16/18IO1 (1600V,1800V)/503A UC3845 2SK2850
ABB DCS-500B/DCS600/DCS800/ACS800 传动装置主要备件
艾赛斯半控
MCC26-12io8B
MCC26-16io8B
MCC44-12io8B
MCC44-16io8B
MCC56-12io8B
MCC56-16io8B
MCC72-12io8B
MCC72-16io8B
MCC95-12io8B
MCC95-16io8B
MCC132-12io8
MCC132-16io8
MCC162-12io8
MCC162-16io8
MCC170-12io8
MCC170-16io8
MCC220-12io8
MCC220-16io8
MCC250-12io8
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MCC310-12io8
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MCC312-12io8
MCC312-16io8
MCC132-12io8
MCC132-16io8
MCC162-12io8
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MCC220-12io8
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