【MOS管4N65的基本参数】 漏源电压（VDS）：650V 栅源电压（VGS）：±30V 连续漏极电流（ID）：4.0A 脉冲漏极电流（IDM）：16A 零栅极电压漏极电流（IDSS）：10μA 栅极阈值电压（VGS (th)）：3.0V 2.2Ω@ 10V 导通电阻（RDS (on)）： 二极管正向电压（Vsd）：1.4V 输入
