：Engis
化合物半导体（GaAs/InP）背面减薄工艺设备
应用领域：GaAs，InP
设备特点：
上蜡后将陶瓷盘放入压片机真空腔内进行压片，并将Wafer不陶瓷盘间隙内空气排空
真空腔内设有硅胶垫，上片均匀性非常理想
配合冷水机使用，缩短上片时间
手动贴蜡机：
设备的设计理念及特征
将陶瓷盘加热，在陶瓷盘上均匀涂上固体蜡，将InP 晶圆均匀粘贴在陶瓷盘上。
并将上部的冲压头靠气缸压力来压着粘有晶片的陶瓷盘，让InP 晶圆牢固粘贴在陶瓷盘上。
主要规格：
设备型号EBM-200-1AL-TC
粘贴压力MAX 100kgf at 0.25MPa Silicon Pad
粘贴尺寸MAX OD 200mm
腔U/D 气缸Pneumatic ram OD63 Stoke：170mm
腔真空真空发生器
冷却不锈钢水管套
时间控制真空和压力
尺寸400mm（W）300mm（D）730mm（H）
重量约100kg
特点：
水冷系统用冷水机控制水温
时间控制系统采用电动气阀
真空腔用真空发生泵
硅胶加压PAD 晶圆TTV，BOW，WARP 稳定性高
设备要求：
真空0.6 MPa
选配：
1，冷水机；2，加热台EC-1200N；3，ENGIS 固体蜡；4，陶瓷盘
